logo
Chào mừng đến Shenzhen Ayogoo Technology Co., Ltd.
+8615986610917
Nhà / các sản phẩm / RAM DDR4 / Mô-đun bộ nhớ SODIMM DDR4 hiệu năng cao 2666MHz với chức năng ECC và dung lượng 16GB
Chất lượng Mô-đun bộ nhớ SODIMM DDR4 hiệu năng cao 2666MHz với chức năng ECC và dung lượng 16GB Nhà máy
Chất lượng Mô-đun bộ nhớ SODIMM DDR4 hiệu năng cao 2666MHz với chức năng ECC và dung lượng 16GB Nhà máy
Chất lượng Mô-đun bộ nhớ SODIMM DDR4 hiệu năng cao 2666MHz với chức năng ECC và dung lượng 16GB Nhà máy
Chất lượng Mô-đun bộ nhớ SODIMM DDR4 hiệu năng cao 2666MHz với chức năng ECC và dung lượng 16GB Nhà máy
Chất lượng Mô-đun bộ nhớ SODIMM DDR4 hiệu năng cao 2666MHz với chức năng ECC và dung lượng 16GB Nhà máy

Mô-đun bộ nhớ SODIMM DDR4 hiệu năng cao 2666MHz với chức năng ECC và dung lượng 16GB

Các tính chất cơ bản
Nơi xuất xứ: Quảng Đông
Tên thương hiệu: LASTINGIN
Giao dịch Bất động sản
Số lượng đặt hàng tối thiểu: 1
Giá: $10-28
Điều khoản thanh toán: L/C,T/T
Khả năng cung cấp: 1000+mảnh+10 ngày
Thẻ

RAM máy tính xách tay DDR4

Ram Ddr4 Rgb

Bộ nhớ RAM DDR4
Tóm tắt sản phẩm
Mô-đun RAM SODIMM DDR4 2666MHz hiệu suất cao này được thiết kế đặc biệt cho các chuyên gia sáng tạo, những người yêu cầu bộ nhớ đáng tin cậy cho các ứng dụng đòi hỏi tài nguyên cao. Với dung lượng từ 8GB đến 32GB và tần số 2666MHz mạnh mẽ, nó cung cấp dung lượng bộ nhớ và tốc độ truyền dữ liệu nhanh ...

Chi tiết sản phẩm

Làm nổi bật:

2666MHz DDR4 RAM

,

Mô-đun bộ nhớ chức năng ECC

,

RAM SODIMM dung lượng 16GB
Model: DDR4
Capacity: 4GB/8GB/16GB
Application: Máy tính để bàn
Function: ECC
Frequency: 2400 MHz/2666MHz
Place Of Origin: Quảng Đông, Trung Quốc
Brand Name: LASTINGIN
Products Status: Cổ phần
Mô tả sản phẩm
Mô-đun RAM SODIMM DDR4 2666MHz hiệu suất cao này được thiết kế đặc biệt cho các chuyên gia sáng tạo, những người yêu cầu bộ nhớ đáng tin cậy cho các ứng dụng đòi hỏi tài nguyên cao. Với dung lượng từ 8GB đến 32GB và tần số 2666MHz mạnh mẽ, nó cung cấp dung lượng bộ nhớ và tốc độ truyền dữ liệu nhanh cần thiết cho hình ảnh có độ phân giải cao, chỉnh sửa video 4K, mô hình 3D phức tạp và các tệp thiết kế lớn.
Các Tính năng Hiệu suất Chính
  • Bộ nhớ SODIMM DDR4 2666MHz hiệu suất cao cho máy tính xách tay và máy trạm
  • Có sẵn với dung lượng từ 4GB đến 32GB để đáp ứng các nhu cầu máy tính khác nhau
  • Công nghệ sửa lỗi tiên tiến để phát hiện lỗi theo thời gian thực và bảo vệ dữ liệu
  • Chip DRAM chất lượng cao đảm bảo truyền tín hiệu ổn định và chống mài mòn
  • Thiết kế chống nhiễu điện từ ngăn ngừa gián đoạn hiệu suất
  • Thiết kế tản nhiệt nhôm tiên tiến duy trì nhiệt độ tối ưu trong quá trình sử dụng chuyên sâu
  • Kiểm tra nghiêm ngặt từ -40℃ đến 85℃ đảm bảo độ tin cậy trong các môi trường khác nhau
  • Hoạt động tiết kiệm năng lượng 1.2V/1.35V cân bằng hiệu suất và thời lượng pin
  • Cài đặt plug-and-play với khả năng tương thích rộng với máy tính xách tay DDR4
Thông số kỹ thuật
Dung lượng 4GB, 8GB, 16GB, 32GB
Tần số 2400MHz / 2666MHz
Điện áp Hoạt động 1.2V / 1.35V
Yếu tố hình thức DDR4 SODIMM (Bộ nhớ máy tính xách tay)
Hiệu suất & Độ tin cậy
Khả năng chống chịu nhiệt
Được chế tạo với các thành phần chất lượng cao và trải qua chu trình nhiệt độ khắc nghiệt từ -40℃ đến 85℃, đảm bảo hiệu suất ổn định mà không bị quá nhiệt ngay cả trong quá trình sử dụng liên tục.
Hoạt động ổn định
Chip DRAM chất lượng cao với 100% kiểm tra chức năng, thử nghiệm burn-in và đảm bảo chất lượng toàn diện đảm bảo hiệu suất đáng tin cậy cho các ứng dụng đòi hỏi cao.
Các ứng dụng được đề xuất
Ứng dụng Dung lượng đề xuất
Duyệt web & Chỉnh sửa tài liệu 4GB - 8GB
Năng suất văn phòng & Truyền phát đa phương tiện 8GB - 16GB
Sử dụng đa ứng dụng & Phần mềm chuyên nghiệp 16GB - 32GB
Nâng cấp giáo dục & thương mại Tất cả dung lượng có sẵn
Đảm bảo chất lượng & Bảo hành
Bảo hành chống giả mạo 3 năm
Được hỗ trợ bởi bảo hành toàn diện 3 năm bao gồm các lỗi sản xuất, mang lại sự an tâm tuyệt đối cho khoản đầu tư của bạn.
Cấu trúc chắc chắn
Được thiết kế để chống lại phóng tĩnh điện, đột biến điện áp và hư hỏng vật lý để có độ bền tối đa và độ tin cậy lâu dài.
Kiểm tra toàn diện
Mỗi mô-đun đều trải qua 100% kiểm tra chức năng và thử nghiệm burn-in để đảm bảo hiệu suất ổn định và độ tin cậy trong các điều kiện khác nhau.
Giá trị vượt trội
Chất lượng cấp công nghiệp với hiệu suất ổn định lâu dài và sự tiện lợi plug-and-play với mức giá cạnh tranh. Khả năng cung cấp hơn 1000 chiếc có sẵn trong vòng 10 ngày.

Mr. Ross

Sản phẩm liên quan
  • Chất lượng Ổ cứng thể rắn (SSD) 2.5 SATA 4TB cho Laptop Nhà máy

    Ổ cứng thể rắn (SSD) 2.5 SATA 4TB cho Laptop
    OEM SSD gốc 4TB ổ cứng ổ cứng 2.5 Đĩa trạng thái rắn bên trong SATA 3 cho máy tính xách tay Tổng quan về sản phẩm SSD SATA 2,5 inch Lastingin là một giải pháp lưu trữ nội bộ hiệu suất cao được thiết kế cho máy tính xách tay và máy tính để bàn, cung cấp lưu trữ dữ liệu đáng tin cậy với tốc độ và độ b...
  • Chất lượng Ổ cứng SSD M.2 NVMe PCIe 4.0 2280 Gaming Internal có logo tùy chỉnh Nhà máy

    Ổ cứng SSD M.2 NVMe PCIe 4.0 2280 Gaming Internal có logo tùy chỉnh
    Độ ổn định cao M.2 NVMe SSD Gen4 2TB - M.2 2280 Solid State Drive Các nhà sản xuất thiết bị gốc NVMe M.2 2280 ổ đĩa trạng thái rắn với dung lượng 2TB. SSD hiệu suất cao được tối ưu hóa cho trò chơi, máy tính xách tay, máy tính để bàn và các ứng dụng máy chủ. Thông số kỹ thuật sản phẩm Thuộc tính Giá ...
  • Chất lượng Ổ cứng SSD M.2 PCIe 4.0 NVMe 2TB Tốc độ đọc 7450MB/s Nhà máy

    Ổ cứng SSD M.2 PCIe 4.0 NVMe 2TB Tốc độ đọc 7450MB/s
    SSD NVMe hiệu suất cao 2TB M.2 2280 Giải pháp lưu trữ hiệu suất cao cấp với tốc độ đọc 7400MB / s sử dụng công nghệ TLC 3D NAND Flash. Các thông số kỹ thuật chính Thuộc tính Giá trị Giao diện M.2 PCIe 4.0 Công suất 512GB/1TB/2TB/4TB Tốc độ đọc Tối đa 7450MB/s Tốc độ ghi Tối đa 6600MB/s Khả năng tư...
  • Chất lượng Ổ cứng thể rắn (SSD) M.2 NVMe PCIe 3.0 x4 128GB-2TB TLC Nhà máy

    Ổ cứng thể rắn (SSD) M.2 NVMe PCIe 3.0 x4 128GB-2TB TLC
    Xưởng bán buôn ổ cứng PCIe 3.0 NVMe SSD 128GB-2TB M.2 NVMe SSD Thông số kỹ thuật sản phẩm Thuộc tính Giá trị Tình trạng của mục Mới Tình trạng sản phẩm Mới Giao diện PCIe Gen 3x4 NAND Flash TLC Điện áp đầu vào DC 3.3V Hình thức yếu tố M.2 NVME Đọc theo trình tự 3000-3500 MB/s Viết theo trình tự 2200...

Gửi Yêu Cầu