logo
Witamy w Shenzhen Ayogoo Technology Co., Ltd.
+8615986610917
Do domu / produkty / RAM DDR4 / Wysokowydajny moduł pamięci DDR4 RAM 2666MHz SODIMM z funkcją ECC i pojemnością 16GB
Jakość Wysokowydajny moduł pamięci DDR4 RAM 2666MHz SODIMM z funkcją ECC i pojemnością 16GB Fabryka
Jakość Wysokowydajny moduł pamięci DDR4 RAM 2666MHz SODIMM z funkcją ECC i pojemnością 16GB Fabryka
Jakość Wysokowydajny moduł pamięci DDR4 RAM 2666MHz SODIMM z funkcją ECC i pojemnością 16GB Fabryka
Jakość Wysokowydajny moduł pamięci DDR4 RAM 2666MHz SODIMM z funkcją ECC i pojemnością 16GB Fabryka
Jakość Wysokowydajny moduł pamięci DDR4 RAM 2666MHz SODIMM z funkcją ECC i pojemnością 16GB Fabryka

Wysokowydajny moduł pamięci DDR4 RAM 2666MHz SODIMM z funkcją ECC i pojemnością 16GB

Podstawowe właściwości
Miejsce pochodzenia: Guangdong
Nazwa Marki: LASTINGIN
Nieruchomości handlowe
Minimalna ilość zamówienia: 1
Cena: $10-28
Warunki płatności: L/C, T/T
Możliwość zaopatrzenia: 1000+kawałek+10 dni
Znaków

Pamięć RAM DDR4 do laptopa

Ddr4 RGB Ram

Pamięć RAM DDR4
Podsumowanie produktu
Ten wysokiej wydajności DDR4 2666MHz SODIMM RAM moduł jest zaprojektowany specjalnie dla profesjonalistów kreatywnych, którzy wymagają niezawodnej pamięci do zasobów intensywnych aplikacji.Z pojemnościami od 8GB do 32GB i częstotliwością 2666MHz, zapewnia przestrzeń pamięci i szybkie przenoszenie ...

Szczegóły produktu

Podkreślić:

Pamięć RAM DDR4 2666MHz

,

Moduł pamięci funkcji ECC

,

Pamięć RAM SODIMM o pojemności 16 GB
Model: DDR4
Capacity: 4 GB/8 GB/16 GB
Application: Pulpit
Function: EKK
Frequency: 2400 MHz/2666 MHz
Place Of Origin: Guangdong, Chiny
Brand Name: LASTINGIN
Products Status: Magazyn
Opis produktu
Ten wysokiej wydajności DDR4 2666MHz SODIMM RAM moduł jest zaprojektowany specjalnie dla profesjonalistów kreatywnych, którzy wymagają niezawodnej pamięci do zasobów intensywnych aplikacji.Z pojemnościami od 8GB do 32GB i częstotliwością 2666MHz, zapewnia przestrzeń pamięci i szybkie przenoszenie danych niezbędne do wysokiej rozdzielczości obrazów, edycji wideo 4K, skomplikowanych modeli 3D i dużych plików projektowych.
Kluczowe cechy wydajności
  • Wysokiej wydajności pamięć DDR4 2666MHz SODIMM do komputerów przenośnych i stacji roboczych
  • Dostępne w pojemnościach od 4 GB do 32 GB, aby spełnić różne potrzeby obliczeniowe
  • Zaawansowana technologia korekcji błędów do wykrywania błędów w czasie rzeczywistym i ochrony danych
  • Wysokiej jakości układy DRAM zapewniają stabilną transmisję sygnału i odporność na zużycie
  • Zaprojektowanie przeciwdziałające zakłóceniom elektromagnetycznym zapobiega zakłóceniom wydajności
  • Zaawansowana konstrukcja aluminiowego zlewu ciepła utrzymuje optymalne temperatury podczas intensywnego użytkowania
  • Dokładne badania od -40°C do 85°C zapewniają niezawodność w różnych warunkach
  • Energooszczędne działanie 1,2 V/1,35 V równoważy wydajność i żywotność baterii
  • Instalacja plug-and-play z szeroką kompatybilnością laptopa DDR4
Specyfikacje techniczne
Pojemność 4GB, 8GB, 16GB, 32GB.
Częstotliwość 2400 MHz / 2666 MHz
napięcie 1.2V / 1.35V
Wskaźnik kształtu DDR4 SODIMM (pamięć laptopowa)
Wydajność i niezawodność
Odporność termiczna
Zbudowany z wysokiej jakości komponentów i poddawany ekstremalnym cyklom temperatury od -40°C do 85°C, zapewniając stabilną wydajność bez przegrzania nawet podczas ciągłego użytkowania.
Stabilna eksploatacja
Wysokiej jakości układy DRAM z 100% testami funkcjonalnymi, próbami spalania i kompleksowym zapewnieniem jakości zapewniają niezawodną wydajność w wymagających aplikacjach.
Zalecane zastosowania
Zastosowanie Zalecana pojemność
Przeglądanie sieci i edycja dokumentów 4GB - 8GB
Produktywność biurowa i transmisja mediów 8 GB - 16 GB
Wykorzystanie wielu aplikacji i oprogramowanie profesjonalne 16 GB - 32 GB
Ulepszenia edukacyjne i handlowe Wszystkie dostępne pojemności
Zapewnienie jakości i gwarancja
3-letnia gwarancja
Zapewniona przez kompleksową 3-letnią gwarancję obejmującą wady produkcyjne, zapewniając niezrównaną spokój umysłu dla inwestycji.
Niezawodna konstrukcja
Zbudowany do odporności na rozładowanie elektrostatyczne, wzrost napięcia i uszkodzenia fizyczne dla maksymalnej trwałości i długotrwałej niezawodności.
Kompleksowe badanie
Każdy moduł jest poddawany 100% testom funkcjonalnym i badaniom spalania, aby zapewnić stabilność i niezawodność działania w różnych warunkach.
Wyjątkowa wartość
Jakość klasy przemysłowej z długoterminową stabilnością wydajności i wygodą plug-and-play w konkurencyjnych cenach.

Mr. Ross

Powiązane produkty
  • Jakość 2,5-calowy dysk SSD SATA 4 TB do laptopa Fabryka

    2,5-calowy dysk SSD SATA 4 TB do laptopa
    OEM Oryginalny dysk SSD 4TB Dysk twardy 2.5 Wewnętrzny dysk SSD SATA 3 do laptopa Przegląd produktu 2.5-calowy dysk SSD LASTINGIN SATA to wysokowydajne wewnętrzne rozwiązanie pamięci masowej przeznaczone do laptopów i komputerów stacjonarnych, oferujące niezawodne przechowywanie danych z wyjątkową ...
  • Jakość Niestandardowe logo Pcie 4.0 M.2 Nvme Ssd 2280 Gaming Internal Fabryka

    Niestandardowe logo Pcie 4.0 M.2 Nvme Ssd 2280 Gaming Internal
    Wysoka stabilność M.2 NVMe SSD Gen4 2TB - M.2 2280 napęd stałego Oryginalny producent sprzętu NVMe M.2 2280 dysk stałego o pojemności 2TB. Specyfikacja produktu Atrybut Wartość Rodzaj Wewnętrzne Pojemność 512 GB/1 TB/2 TB Interfejs M.2 PCIe 4.0 Szybkość odczytu Do 5000 MB/s Szybkość pisania Do 4500 ...
  • Jakość M.2 PCIe 4.0 NVMe SSD 2TB 7450MB/s Prędkość odczytu Fabryka

    M.2 PCIe 4.0 NVMe SSD 2TB 7450MB/s Prędkość odczytu
    Wysokowydajny dysk SSD NVMe M.2 2280 o pojemności 2 TB Rozwiązanie pamięci masowej o wysokiej wydajności z prędkością odczytu 7400 MB/s, wykorzystujące technologię TLC 3D NAND Flash. Kluczowe specyfikacje Atrybut Wartość Interfejs M.2 PCIe 4.0 Pojemność 512 GB/1 TB/2 TB/4 TB Prędkość odczytu Do 7450 ...
  • Jakość Dysk SSD M.2 NVMe PCIe 3.0 x4 128GB-2TB TLC wewnętrzny Fabryka

    Dysk SSD M.2 NVMe PCIe 3.0 x4 128GB-2TB TLC wewnętrzny
    Fabryczny hurtowy dysk twardy PCIe 3.0 NVMe SSD 128GB-2TB M.2 NVMe SSD Specyfikacja produktu Atrybut Wartość Warunki pozycji Nowy Status produktów Nowy Interfejs PCIe Gen 3x4 NAND Flash TLC. Napięcie wejściowe Prąd stały 3,3 V Wskaźnik kształtu M.2 NVME Czytanie sekwencyjne 3000-3500 MB/s Pisanie ...

Wyślij zapytanie