RAM DDR5 BỀN BỈ 64GB 6000MHz ECC Bộ nhớ Máy tính để bàn
Các tính chất cơ bản
Nơi xuất xứ:
Chinaguangdong
Tên thương hiệu:
LASTINGIN
Số mô hình:
DDR5
Giao dịch Bất động sản
Số lượng đặt hàng tối thiểu:
1
Giá:
$45.16 - 149.88
Điều khoản thanh toán:
L/C, T/T.
Khả năng cung cấp:
1000+mảnh+10 ngày
Tóm tắt sản phẩm
LastingIN DDR5 64GB 6000MHz Bộ nhớ RAM máy tính xách tay Mô-đun bộ nhớ DDR5 hiệu suất cao với bao bì bán lẻ, cung cấp tốc độ và độ tin cậy đặc biệt cho trò chơi, tạo nội dung và các ứng dụng chuyên nghiệp. Ưu điểm chính Sản xuất xuất sắc:Sản xuất với 6 dòng Yamaha SMT (Công nghệ mặt đất) hoàn toàn m...
Chi tiết sản phẩm
Làm nổi bật:
RAM DDR5 64GB 6000MHz
,Bộ nhớ máy tính để bàn ECC DDR5
,RAM DDR5 64GB với ECC
Place Of Origin:
Quảng Đông, Trung Quốc
Type:
DDR5
Size:
18CMX8CMX2CM
Function:
ECC
Compatibility:
Đầy đủ tương thích
Packing:
Bao bì bán lẻ
Products Status:
Cổ phiếu
Support Capacity:
16GB-64GB
Frequency:
4800-6000MHz
Brand Name:
LASTINGIN
Mô tả sản phẩm
LastingIN DDR5 64GB 6000MHz Bộ nhớ RAM máy tính xách tay
Mô-đun bộ nhớ DDR5 hiệu suất cao với bao bì bán lẻ, cung cấp tốc độ và độ tin cậy đặc biệt cho trò chơi, tạo nội dung và các ứng dụng chuyên nghiệp.
Ưu điểm chính
- Sản xuất xuất sắc:Sản xuất với 6 dòng Yamaha SMT (Công nghệ mặt đất) hoàn toàn mới đảm bảo vị trí chip chính xác và kết nối điện ổn định.
- Thông số kỹ thuật chính:Có sẵn trong dung lượng 16GB / 32GB / 64GB với tần số 4800-8000MHz, điện áp thấp 1,2V và kiến trúc bộ nhớ 8-bit gốc.
- Ưu điểm sản xuất:Công nghệ SMT giảm thiểu lỗi của con người, cải thiện khả năng phân tán nhiệt và tăng độ bền của mô-đun để sử dụng máy chủ và máy tính chơi game lâu dài.
- Đảm bảo chất lượng:30+ chuyên gia R & D / QC giám sát sản xuất với các mẫu trước sản xuất và kiểm tra cuối cùng đảm bảo sản xuất 100% không có khiếm khuyết.
- Chuyên môn ngành:Được hỗ trợ bởi 18 năm kinh nghiệm sản xuất bộ nhớ và quan hệ đối tác với các nhà sản xuất chip hàng đầu (SK Hynix, Micron).
Thông số kỹ thuật
| Tên thương hiệu | LASTINGIN |
|---|---|
| Loại | DDR5 |
| Kích thước | 18*8*2cm |
| Chức năng | ECC |
| Khả năng tương thích | Hoàn toàn tương thích |
| Bao bì | Bao bì bán lẻ |
| Có sẵn | Trong kho |
| Năng lực được hỗ trợ | 16GB, 32GB, 64GB |
Tính năng hiệu suất
Các mô-đun bộ nhớ DDR5 mang lại sự cải thiện đáng kể về hiệu suất và hiệu quả.trong khi hoạt động điện áp thấp kéo dài tuổi thọ pin trong thiết bị di độngChức năng ECC tích hợp cung cấp sửa lỗi đáng tin cậy, làm cho các mô-đun này lý tưởng cho các ứng dụng quan trọng trong nhiệm vụ, nơi độ chính xác dữ liệu là tối quan trọng.
Đại diện cho công nghệ RAM tiên tiến, DDR5 cung cấp tốc độ từ 4800MT / s đến 6800MT / s với băng thông cao hơn 50% so với DDR4. Điều này đảm bảo thời gian tải nhanh hơn, đa nhiệm liền mạch,và khả năng đáp ứng hệ thống vượt trội cho các ứng dụng đòi hỏi.
Thư viện sản phẩm
Sản phẩm liên quan
-
Ổ cứng thể rắn (SSD) 2.5 SATA 4TB cho Laptop
OEM SSD gốc 4TB ổ cứng ổ cứng 2.5 Đĩa trạng thái rắn bên trong SATA 3 cho máy tính xách tay Tổng quan về sản phẩm SSD SATA 2,5 inch Lastingin là một giải pháp lưu trữ nội bộ hiệu suất cao được thiết kế cho máy tính xách tay và máy tính để bàn, cung cấp lưu trữ dữ liệu đáng tin cậy với tốc độ và độ b... -
Ổ cứng SSD M.2 NVMe PCIe 4.0 2280 Gaming Internal có logo tùy chỉnh
Độ ổn định cao M.2 NVMe SSD Gen4 2TB - M.2 2280 Solid State Drive Các nhà sản xuất thiết bị gốc NVMe M.2 2280 ổ đĩa trạng thái rắn với dung lượng 2TB. SSD hiệu suất cao được tối ưu hóa cho trò chơi, máy tính xách tay, máy tính để bàn và các ứng dụng máy chủ. Thông số kỹ thuật sản phẩm Thuộc tính Giá ... -
Ổ cứng SSD M.2 PCIe 4.0 NVMe 2TB Tốc độ đọc 7450MB/s
SSD NVMe hiệu suất cao 2TB M.2 2280 Giải pháp lưu trữ hiệu suất cao cấp với tốc độ đọc 7400MB / s sử dụng công nghệ TLC 3D NAND Flash. Các thông số kỹ thuật chính Thuộc tính Giá trị Giao diện M.2 PCIe 4.0 Công suất 512GB/1TB/2TB/4TB Tốc độ đọc Tối đa 7450MB/s Tốc độ ghi Tối đa 6600MB/s Khả năng tư... -
Ổ cứng thể rắn (SSD) M.2 NVMe PCIe 3.0 x4 128GB-2TB TLC
Xưởng bán buôn ổ cứng PCIe 3.0 NVMe SSD 128GB-2TB M.2 NVMe SSD Thông số kỹ thuật sản phẩm Thuộc tính Giá trị Tình trạng của mục Mới Tình trạng sản phẩm Mới Giao diện PCIe Gen 3x4 NAND Flash TLC Điện áp đầu vào DC 3.3V Hình thức yếu tố M.2 NVME Đọc theo trình tự 3000-3500 MB/s Viết theo trình tự 2200...
