logo
Chào mừng đến Shenzhen Ayogoo Technology Co., Ltd.
+8615986610917

LASTINGIN DDR5 RAM 16GB 6000MHz ECC Memory Module

Các tính chất cơ bản
Nơi xuất xứ: Chinaguangdong
Tên thương hiệu: LASTINGIN
Số mô hình: DDR5
Giao dịch Bất động sản
Số lượng đặt hàng tối thiểu: 1
Giá: $45.16 - 149.88
Điều khoản thanh toán: L/C, T/T.
Khả năng cung cấp: 1000+mảnh+10 ngày
Tóm tắt sản phẩm
LASTINGIN DDR5 64GB 6000MHz RAM Laptop Module bộ nhớ DDR5 hiệu năng cao với bao bì bán lẻ, mang lại tốc độ và độ tin cậy vượt trội cho chơi game, tạo nội dung và các ứng dụng chuyên nghiệp. Những Ưu Điểm Chính Sử dụng chip cấp độ chính (so với chip ETT/UTT hỗn hợp) Tần số cao hơn (lên đến 8000MHz so ...

Chi tiết sản phẩm

Làm nổi bật:

DDR5 RAM 16GB 6000MHz

,

Mô-đun bộ nhớ ECC DDR5

,

16GB DDR5 RAM với ECC

Place Of Origin: Quảng Đông, Trung Quốc
Type: DDR5
Size: 18CMX8CMX2CM
Function: ECC
Compatibility: Đầy đủ tương thích
Packing: Bao bì bán lẻ
Products Status: Cổ phiếu
Support Capacity: 16GB-64GB
Frequency: 4800-6000MHz
Brand Name: LASTINGIN
Mô tả sản phẩm
LASTINGIN DDR5 64GB 6000MHz RAM Laptop
Module bộ nhớ DDR5 hiệu năng cao với bao bì bán lẻ, mang lại tốc độ và độ tin cậy vượt trội cho chơi game, tạo nội dung và các ứng dụng chuyên nghiệp.
Những Ưu Điểm Chính
  • Sử dụng chip cấp độ chính (so với chip ETT/UTT hỗn hợp)
  • Tần số cao hơn (lên đến 8000MHz so với tối đa 6000MHz)
  • Kiến trúc bit bộ nhớ 8-bit thực
  • Hoạt động điện áp thấp 1.2V với chức năng ECC
  • PCBA sản xuất tại Đài Loan cho chất lượng vượt trội
  • Tốc độ đọc/ghi nhanh hơn để giảm thời gian tải
  • Khả năng chịu nhiệt được tăng cường giúp ngăn chặn sự cố hệ thống
  • Khả năng tương thích rộng với các nền tảng Intel/AMD
  • Bảo hành trọn đời cho chipset + bảo hành sản phẩm 3 năm
  • 18 năm kinh nghiệm trong ngành với 95,7% giao hàng đúng hẹn
Thông Số Kỹ Thuật
Tên Thương Hiệu LASTINGIN
Loại DDR5
Kích Thước 18*8*2cm
Chức Năng ECC
Khả Năng Tương Thích Tương Thích Đầy Đủ
Đóng Gói Đóng Gói Bán Lẻ
Tình Trạng Còn Hàng
Dung Lượng Được Hỗ Trợ 16GB, 32GB, 64GB
Tính Năng Hiệu Suất
Các mô-đun bộ nhớ DDR5 mang lại những cải tiến đáng kể về cả hiệu suất và hiệu quả. Băng thông tăng lên cho phép tốc độ truyền dữ liệu nhanh hơn, trong khi hoạt động điện áp thấp hơn kéo dài thời lượng pin trong các thiết bị di động. Chức năng ECC tích hợp cung cấp khả năng sửa lỗi đáng tin cậy, làm cho các mô-đun này lý tưởng cho các ứng dụng quan trọng, nơi độ chính xác của dữ liệu là tối quan trọng.
Bộ nhớ DDR5 đại diện cho công nghệ RAM tiên tiến nhất, mang lại hiệu suất vượt trội với tốc độ từ 4800MT/s đến 6800MT/s. Cung cấp băng thông lớn hơn tới 50% so với DDR4, bộ nhớ này đảm bảo thời gian tải nhanh hơn, đa nhiệm liền mạch và khả năng phản hồi tổng thể của hệ thống vượt trội.
Bộ Sưu Tập Sản Phẩm
Sản phẩm liên quan
  • Ổ cứng thể rắn (SSD) 2.5 SATA 4TB cho Laptop

    OEM SSD gốc 4TB ổ cứng ổ cứng 2.5 Đĩa trạng thái rắn bên trong SATA 3 cho máy tính xách tay Tổng quan về sản phẩm SSD SATA 2,5 inch Lastingin là một giải pháp lưu trữ nội bộ hiệu suất cao được thiết kế cho máy tính xách tay và máy tính để bàn, cung cấp lưu trữ dữ liệu đáng tin cậy với tốc độ và độ b...
  • Ổ cứng SSD M.2 NVMe PCIe 4.0 2280 Gaming Internal có logo tùy chỉnh

    Độ ổn định cao M.2 NVMe SSD Gen4 2TB - M.2 2280 Solid State Drive Các nhà sản xuất thiết bị gốc NVMe M.2 2280 ổ đĩa trạng thái rắn với dung lượng 2TB. SSD hiệu suất cao được tối ưu hóa cho trò chơi, máy tính xách tay, máy tính để bàn và các ứng dụng máy chủ. Thông số kỹ thuật sản phẩm Thuộc tính Giá ...
  • Ổ cứng SSD M.2 PCIe 4.0 NVMe 2TB Tốc độ đọc 7450MB/s

    SSD NVMe hiệu suất cao 2TB M.2 2280 Giải pháp lưu trữ hiệu suất cao cấp với tốc độ đọc 7400MB / s sử dụng công nghệ TLC 3D NAND Flash. Các thông số kỹ thuật chính Thuộc tính Giá trị Giao diện M.2 PCIe 4.0 Công suất 512GB/1TB/2TB/4TB Tốc độ đọc Tối đa 7450MB/s Tốc độ ghi Tối đa 6600MB/s Khả năng tư...
  • Ổ cứng thể rắn (SSD) M.2 NVMe PCIe 3.0 x4 128GB-2TB TLC

    Xưởng bán buôn ổ cứng PCIe 3.0 NVMe SSD 128GB-2TB M.2 NVMe SSD Thông số kỹ thuật sản phẩm Thuộc tính Giá trị Tình trạng của mục Mới Tình trạng sản phẩm Mới Giao diện PCIe Gen 3x4 NAND Flash TLC Điện áp đầu vào DC 3.3V Hình thức yếu tố M.2 NVME Đọc theo trình tự 3000-3500 MB/s Viết theo trình tự 2200...

Gửi Yêu Cầu