แรมความเร็วสูง DDR5 8000mhz 32gb 18cmX8cmX2cm สําหรับ Desktop
คุณสมบัติพื้นฐาน
สถานที่กำเนิด:
chinaguangdong
ชื่อแบรนด์:
LASTINGIN
หมายเลขรุ่น:
DDR5
การซื้อขายอสังหาริมทรัพย์
ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำ:
1
ราคา:
$45.16 - 149.88
เงื่อนไขการชำระเงิน:
l/c, t/t
ความสามารถในการจัดหา:
1,000+ชิ้น+10 วัน
สรุปผลิตภัณฑ์
LASTINGIN DDR5 64GB แรมคอมพิวเตอร์ 6000MHz โมดูลความทรงจํา DDR5 ที่มีความสามารถสูง พร้อมกับบรรจุสินค้าปลีก เพื่อให้ความเร็วและความน่าเชื่อถือเป็นพิเศษ สําหรับเกมส์ การสร้างเนื้อหา และการใช้งานมืออาชีพ ข้อดีสําคัญ จุดเด่นสําคัญ: ไม่คัดเลือกกับ motherboard ใช้งานได้อย่างต่อเนื่องกับ Intel ทั้งหมดที่รอ...
รายละเอียดผลิตภัณฑ์
เน้น:
แรม DDR5 8000mhz
,แรม DDR5 32GB
,ความเร็วสูง RAM Memory Ddr5
Place Of Origin:
กวางตุ้งจีน
Type:
DDR5
Size:
18CMX8CMX2CM
Function:
อี.ซี.ซี
Compatibility:
เข้ากันได้เต็มรูปแบบ
Packing:
บรรจุภัณฑ์ขายปลีก
Products Status:
สต็อค
Support Capacity:
16GB-64GB
Frequency:
4800-6000mHz
Brand Name:
LASTINGIN
คำอธิบายผลิตภัณฑ์
LASTINGIN DDR5 64GB แรมคอมพิวเตอร์ 6000MHz
โมดูลความทรงจํา DDR5 ที่มีความสามารถสูง พร้อมกับบรรจุสินค้าปลีก เพื่อให้ความเร็วและความน่าเชื่อถือเป็นพิเศษ สําหรับเกมส์ การสร้างเนื้อหา และการใช้งานมืออาชีพ
ข้อดีสําคัญ
- จุดเด่นสําคัญ: ไม่คัดเลือกกับ motherboard ใช้งานได้อย่างต่อเนื่องกับ Intel ทั้งหมดที่รองรับ DDR5 (เช่น 12th / 13th Gen Core) และ AMD (เช่น Ryzen 7000 +) motherboard ไม่จําเป็นต้องมีการตั้งค่าที่ซับซ้อนข้อมูลหลัก: DDR5 SODIMM (แล็ปท็อป) + การสนับสนุนปัจจัยรูปแบบ desktop, ความจุ 16GB / 32GB / 64GB, ความถี่ 4800-8000MHz, และแรงดันต่ํา 1.2V ความสะดวกต่อผู้ใช้งาน: แก้ปัญหาความสอดคล้องทั่วไป (เช่น การล้มของระบบ,แรมที่ไม่ยอมรับ) ซึ่งเป็นโรคของโมดูล DDR5 แบบทั่วไป; เหมาะสําหรับมือใหม่และทีมงานไอทีเพียงชิประดับใหญ่ของ Samsung/Hynix/Micron เท่านั้น (ไม่มีชิประดับผสม) ที่ให้ผลการทํางานเท่าเทียมกันในเมอร์บอร์ดต่าง ๆ.หลังการขาย: เวลาตอบสนอง 2 ชั่วโมงสําหรับคําถามความสอดคล้อง นโยบายการคืนง่าย และการรับประกัน 3 ปีเพื่อความสงบใจ
รายละเอียดเทคนิค
| ชื่อแบรนด์ | LASTINGIN |
|---|---|
| ประเภท | DDR5 |
| ขนาด | 18 × 8 × 2 ซม. |
| หน้าที่ | ECC |
| ความเหมาะสม | รองรับได้เต็มที่ |
| การบรรจุ | การบรรจุสินค้าปลีก |
| ความพร้อม | มีในคลัง |
| ความสามารถที่สนับสนุน | 16GB, 32GB, 64GB |
ลักษณะการทํางาน
โมดูลความจํา DDR5 ส่งผลให้มีการปรับปรุงอย่างสําคัญในทั้งผลงานและประสิทธิภาพ ความกว้างแบนด์เบดที่เพิ่มขึ้นทําให้อัตราการถ่ายทอดข้อมูลเร็วขึ้นขณะที่การทํางานแบบวอลเตจต่ํากว่าจะขยายอายุของแบตเตอรี่ในอุปกรณ์มือถือ.ฟังก์ชัน ECC ที่บูรณาการให้การแก้ไขความผิดพลาดที่น่าเชื่อถือ ทําให้โมดูลเหล่านี้เป็นที่เหมาะสมสําหรับการใช้งานที่สําคัญในภารกิจ
DDR5 Memory เป็นเทคโนโลยี RAM ที่มีความทันสมัยมากที่สุด และสามารถให้ผลงานได้อย่างดีเยี่ยม โดยความเร็วตั้งแต่ 4800MT/s ถึง 6800MT/sความจํานี้ทําให้การลดเร็วขึ้น, การทํางานร่วมกันได้อย่างต่อเนื่อง และความสามารถในการตอบสนองของระบบทั่วไปที่สูงกว่า
แกลเลอรี่สินค้า
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
-
2.5 SATA SSD 4TB ภายใน Solid State Drive สําหรับคอมพิวเตอร์
OEM แท้ SSD แฮร์ดไดรฟ์ 4TB แฮร์ดไดรฟ์ 2.5 ภายใน Solid State Disk SATA 3 สําหรับคอมพิวเตอร์ ภาพรวมสินค้า สาร์ด SSD SATA ขนาด 2.5 นิ้วของ LASTINGIN เป็นตัวช่วยในการเก็บข้อมูลภายในที่มีประสิทธิภาพสูง ที่ถูกออกแบบมาสําหรับคอมพิวเตอร์เล็ปโตปและคอมพิวเตอร์เดสค็อป ซึ่งสามารถเก็บข้อมูลได้อย่างน่าเชื่อถือได้ ... -
โลโก้ที่กำหนดเอง Pcie 4.0 M.2 Nvme Ssd 2280 สำหรับเล่นเกมภายใน
ความเสถียรสูง M.2 NVME SSD GEN4 2TB - M.2 2280 Solid State Drive ผู้ผลิตอุปกรณ์ดั้งเดิม NVME M.2 2280 Solid State Drive ที่มีความจุ 2TB SSD ที่มีประสิทธิภาพสูงปรับให้เหมาะสมสำหรับการเล่นเกมแล็ปท็อปเดสก์ท็อปและแอปพลิเคชันเซิร์ฟเวอร์ ข้อกำหนดผลิตภัณฑ์ คุณลักษณะ ค่า พิมพ์ ภายใน ความจุ 512GB/1TB/2TB ส่ว... -
M.2 PCIe 4.0 NVMe SSD 2TB 7450MB/s ความเร็วในการอ่าน
SSD NVMe M.2 2280 ประสิทธิภาพสูง 2TB โซลูชันการจัดเก็บข้อมูลประสิทธิภาพระดับพรีเมียมพร้อมความเร็วในการอ่าน 7400MB/s โดยใช้เทคโนโลยี TLC 3D NAND Flash ข้อมูลจำเพาะหลัก คุณสมบัติ ค่า อินเทอร์เฟซ M.2 PCIe 4.0 ความจุ 512GB/1TB/2TB/4TB ความเร็วในการอ่าน สูงสุด 7450MB/s ความเร็วในการเขียน สูงสุด 6600MB/s ... -
M.2 NVMe SSD PCIe 3.0 x4 ขนาด 128GB-2TB TLC Internal Solid State Drive
โรงงานขายส่งฮาร์ดดิสก์ PCIe 3.0 NVMe SSD 128GB-2TB M.2 NVMe SSD รายละเอียดสินค้า คุณสมบัติ มูลค่า สภาพของรายการ ใหม่ สถานะสินค้า ใหม่ อินเตอร์เฟซ PCIe Gen 3x4 NAND Flash TLC ความดันทางเข้า DC 3.3V ปัจจัยรูปแบบ M.2 NVME การอ่านตามลําดับ 3000-3500 MB/s เขียนตามลําดับ 2200-3000 MB/s ขนาด L80mm * W22mm ...
