หน่วยความจำ Ram แล็ปท็อป ECC Function DDR5 16GB-64GB 5600MHz สำหรับเล่นเกม
คุณสมบัติพื้นฐาน
สถานที่กำเนิด:
chinaguangdong
ชื่อแบรนด์:
LASTINGIN
หมายเลขรุ่น:
DDR5
การซื้อขายอสังหาริมทรัพย์
ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำ:
1
ราคา:
$45.16 - 149.88
เงื่อนไขการชำระเงิน:
l/c, t/t
ความสามารถในการจัดหา:
1,000+ชิ้น+10 วัน
สรุปผลิตภัณฑ์
DDR5 64GB 6000MHz แรมคอมพิวเตอร์แล็ปท็อป - OEM รองรับกับบรรจุปลีก เกมพนันบนโต๊ะ Fury DDR5 Memory 4800MHz DIMM 16GB PC RAM พร้อมความเข้ากันได้ดีกับคอมพิวเตอร์แล็ปท็อปและคอมพิวเตอร์บนโต๊ะและการใช้งานทางอาชีพ. รายละเอียดสินค้า ชื่อแบรนด์ LASTINGIN ประเภท DDR5 ขนาด 18 × 8 × 2 ซม. หน้าที่ ECC ความเหมาะสม ...
รายละเอียดผลิตภัณฑ์
เน้น:
แรมหน่วยความจำ DDR5 16GB
,แรมหน่วยความจำแล็ปท็อป DDR5
,แรมแล็ปท็อป 5600MHz DDR5
Place Of Origin:
กวางตุ้งจีน
Type:
DDR5
Size:
18CMX8CMX2CM
Function:
อี.ซี.ซี
Compatibility:
เข้ากันได้เต็มรูปแบบ
Packing:
บรรจุภัณฑ์ขายปลีก
Products Status:
สต็อค
Support Capacity:
16GB-64GB
Frequency:
4800-6000mHz
Brand Name:
LASTINGIN
คำอธิบายผลิตภัณฑ์
DDR5 64GB 6000MHz แรมคอมพิวเตอร์แล็ปท็อป - OEM รองรับกับบรรจุปลีก
เกมพนันบนโต๊ะ Fury DDR5 Memory 4800MHz DIMM 16GB PC RAM พร้อมความเข้ากันได้ดีกับคอมพิวเตอร์แล็ปท็อปและคอมพิวเตอร์บนโต๊ะและการใช้งานทางอาชีพ.
รายละเอียดสินค้า
| ชื่อแบรนด์ | LASTINGIN |
|---|---|
| ประเภท | DDR5 |
| ขนาด | 18 × 8 × 2 ซม. |
| หน้าที่ | ECC |
| ความเหมาะสม | รองรับได้เต็มที่ |
| การบรรจุ | การบรรจุสินค้าปลีก |
| ความพร้อม | มีในคลัง |
| ความสามารถที่สนับสนุน | 16GB, 32GB, 64GB |
ภาพรวมสินค้า
DDR5 Memory เป็นเทคโนโลยี RAM ที่มีความทันสมัยมากที่สุด และสามารถให้ผลงานได้อย่างดีเยี่ยม โดยความเร็วตั้งแต่ 4800MT/s ถึง 6800MT/sความจํานี้ทําให้การลดเร็วขึ้น, การทํางานร่วมกันได้อย่างต่อเนื่อง และความสามารถในการตอบสนองของระบบทั่วไปที่สูงกว่า
ลักษณะสําคัญ
- จุดเด่นสําคัญ: การรับประกันตลอดชีวิตสําหรับชิประดับใหญ่ของ Samsung/Hynix/Micron ของเดิม ไม่มีการเสี่ยงต่อความน่าเชื่อถือในระยะยาว (ผู้จําหน่ายอื่น ๆ ใช้คุณภาพชิปผสม) รายละเอียดหลัก:ความจุ 16GB/32GB/64GB, ความถี่ 4800-8000MHz, 1.2V โวลเตชั่นต่ํา, และความจําจริง 8-bit bit. การประกันคุณภาพ:การควบคุมคุณภาพอย่างเข้มงวด (จากการเลือกชิปไปยังการประกอบ PCBA) + KO PCBA ผลิตจากไต้หวัน (ความทนทานดีกว่า PCBAทั่วไป). ประโยชน์ของผู้ใช้งาน: กําจัดความกังวลเกี่ยวกับความล้มเหลวก่อนกําหนด; เหมาะสําหรับผู้ใช้งานที่ต้องการการลงทุนระยะยาวในโต๊ะทํางาน / โน๊ตพ็อต / เซอร์เวอร์. การสนับสนุน: เวลาตอบสนอง 2 ชั่วโมงสําหรับการสอบถาม, นโยบายการคืนง่ายและการสนับสนุนหลายภาษา (ภาษาอังกฤษ / จีน / สเปน / ญี่ปุ่น / เยอรมัน / ฝรั่งเศส / รัสเซีย).
ข้อดีทางเทคนิค
โมดูลความจํา DDR5 ส่งผลให้มีการปรับปรุงอย่างสําคัญในทั้งผลงานและประสิทธิภาพ ความกว้างแบนด์เบดที่เพิ่มขึ้นทําให้อัตราการถ่ายทอดข้อมูลเร็วขึ้นขณะที่การทํางานแบบวอลเตจต่ํากว่าจะขยายอายุของแบตเตอรี่ในอุปกรณ์มือถือ.ฟังก์ชัน ECC ที่บูรณาการให้การแก้ไขความผิดพลาดที่น่าเชื่อถือ ทําให้โมดูลเหล่านี้เป็นที่เหมาะสมสําหรับการใช้งานที่สําคัญในภารกิจ
แกลเลอรี่สินค้า
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
-
2.5 SATA SSD 4TB ภายใน Solid State Drive สําหรับคอมพิวเตอร์
OEM แท้ SSD แฮร์ดไดรฟ์ 4TB แฮร์ดไดรฟ์ 2.5 ภายใน Solid State Disk SATA 3 สําหรับคอมพิวเตอร์ ภาพรวมสินค้า สาร์ด SSD SATA ขนาด 2.5 นิ้วของ LASTINGIN เป็นตัวช่วยในการเก็บข้อมูลภายในที่มีประสิทธิภาพสูง ที่ถูกออกแบบมาสําหรับคอมพิวเตอร์เล็ปโตปและคอมพิวเตอร์เดสค็อป ซึ่งสามารถเก็บข้อมูลได้อย่างน่าเชื่อถือได้ ... -
โลโก้ที่กำหนดเอง Pcie 4.0 M.2 Nvme Ssd 2280 สำหรับเล่นเกมภายใน
ความเสถียรสูง M.2 NVME SSD GEN4 2TB - M.2 2280 Solid State Drive ผู้ผลิตอุปกรณ์ดั้งเดิม NVME M.2 2280 Solid State Drive ที่มีความจุ 2TB SSD ที่มีประสิทธิภาพสูงปรับให้เหมาะสมสำหรับการเล่นเกมแล็ปท็อปเดสก์ท็อปและแอปพลิเคชันเซิร์ฟเวอร์ ข้อกำหนดผลิตภัณฑ์ คุณลักษณะ ค่า พิมพ์ ภายใน ความจุ 512GB/1TB/2TB ส่ว... -
M.2 PCIe 4.0 NVMe SSD 2TB 7450MB/s ความเร็วในการอ่าน
SSD NVMe M.2 2280 ประสิทธิภาพสูง 2TB โซลูชันการจัดเก็บข้อมูลประสิทธิภาพระดับพรีเมียมพร้อมความเร็วในการอ่าน 7400MB/s โดยใช้เทคโนโลยี TLC 3D NAND Flash ข้อมูลจำเพาะหลัก คุณสมบัติ ค่า อินเทอร์เฟซ M.2 PCIe 4.0 ความจุ 512GB/1TB/2TB/4TB ความเร็วในการอ่าน สูงสุด 7450MB/s ความเร็วในการเขียน สูงสุด 6600MB/s ... -
M.2 NVMe SSD PCIe 3.0 x4 ขนาด 128GB-2TB TLC Internal Solid State Drive
โรงงานขายส่งฮาร์ดดิสก์ PCIe 3.0 NVMe SSD 128GB-2TB M.2 NVMe SSD รายละเอียดสินค้า คุณสมบัติ มูลค่า สภาพของรายการ ใหม่ สถานะสินค้า ใหม่ อินเตอร์เฟซ PCIe Gen 3x4 NAND Flash TLC ความดันทางเข้า DC 3.3V ปัจจัยรูปแบบ M.2 NVME การอ่านตามลําดับ 3000-3500 MB/s เขียนตามลําดับ 2200-3000 MB/s ขนาด L80mm * W22mm ...
