logo
Witamy w Shenzhen Ayogoo Technology Co., Ltd.
+8615986610917

High Performance DDR4 RAM SODIMM Memory with 8-layer PCB and Advanced Thermal Management for Laptops

Podstawowe właściwości
Miejsce pochodzenia: Guangdong
Nazwa Marki: LASTINGIN
Nieruchomości handlowe
Minimalna ilość zamówienia: 1
Cena: $10-28
Warunki płatności: L/C, T/T
Możliwość zaopatrzenia: 1000+kawałek+10 dni
Podsumowanie produktu
LASTINGIN DDR4 SODIMM - High Performance Laptop Memory Module Premium Construction & Quality Assurance Engineered with 8/10-layer high-speed PCB to minimize signal interference and enhance system stability. Our rigorous production process includes meticulous layer-by-layer IC chip inspection to ...

Szczegóły produktu

Podkreślić:

8-layer PCB DDR4 RAM

,

High Performance SODIMM Memory

,

Thermal Management Laptop RAM

Model: DDR4
Capacity: 4 GB/8 GB/16 GB
Application: Desiktop
Function: EKK
Frequency: 2400 MHz/2666 MHz
Place Of Origin: Guangdong, Chiny
Brand Name: LASTINGIN
Products Status: Magazyn
Opis produktu
LASTINGIN DDR4 SODIMM - High Performance Laptop Memory Module
Premium Construction & Quality Assurance

Engineered with 8/10-layer high-speed PCB to minimize signal interference and enhance system stability. Our rigorous production process includes meticulous layer-by-layer IC chip inspection to eliminate defects and ensure every module meets industry standards.

Key Specifications
  • Capacity Options: 4GB, 8GB, 16GB variants
  • Frequency: 2400MHz, 2666MHz, 3200MHz (PC4-17000/PC4-19200/PC4-21300/PC4-25600)
  • Voltage: Energy-efficient 1.2V/1.35V operation
  • CAS Latency: CL15/CL17/CL19/CL21/CL22 options
  • Quality Assurance: Original DRAM chips with comprehensive testing
Performance Advantages
Thermal Resilience: Operates reliably from 0°C to 95°C with advanced thermal management including aluminum alloy heat dissipation and 3mm thermal silica gel.
Stability Testing: Undergoes PCB testing, solder inspection, temperature tests (-40℃ to 85℃), and power failure verification.
Gaming & Design Ready: 2400MHz/2666MHz frequency support reduces frame drops and improves software performance.
Durable Construction Features
  • 8-layer PCB circuit board with ceramic capacitor particles
  • Chemical immersion gold finger for enhanced wear resistance
  • Anti-electromagnetic interference protection for signal stability
  • Ergonomic design for easy plug-and-play installation
Recommended Applications
Usage Scenario Recommended Configuration
Office Desktops 4GB/8GB for document processing and video conferencing
Gaming Desktops 8GB/16GB for demanding games like Cyberpunk 2077
Design & Rendering 16GB for large design files and software like Blender
Commercial Batch Upgrades Ideal for enterprises, internet cafes, and schools
Powiązane produkty
  • 2,5-calowy dysk SSD SATA 4 TB do laptopa

    OEM Oryginalny dysk SSD 4TB Dysk twardy 2.5 Wewnętrzny dysk SSD SATA 3 do laptopa Przegląd produktu 2.5-calowy dysk SSD LASTINGIN SATA to wysokowydajne wewnętrzne rozwiązanie pamięci masowej przeznaczone do laptopów i komputerów stacjonarnych, oferujące niezawodne przechowywanie danych z wyjątkową ...
  • Niestandardowe logo Pcie 4.0 M.2 Nvme Ssd 2280 Gaming Internal

    Wysoka stabilność M.2 NVMe SSD Gen4 2TB - M.2 2280 napęd stałego Oryginalny producent sprzętu NVMe M.2 2280 dysk stałego o pojemności 2TB. Specyfikacja produktu Atrybut Wartość Rodzaj Wewnętrzne Pojemność 512 GB/1 TB/2 TB Interfejs M.2 PCIe 4.0 Szybkość odczytu Do 5000 MB/s Szybkość pisania Do 4500 ...
  • M.2 PCIe 4.0 NVMe SSD 2TB 7450MB/s Prędkość odczytu

    Wysokowydajny dysk SSD NVMe M.2 2280 o pojemności 2 TB Rozwiązanie pamięci masowej o wysokiej wydajności z prędkością odczytu 7400 MB/s, wykorzystujące technologię TLC 3D NAND Flash. Kluczowe specyfikacje Atrybut Wartość Interfejs M.2 PCIe 4.0 Pojemność 512 GB/1 TB/2 TB/4 TB Prędkość odczytu Do 7450 ...
  • Dysk SSD M.2 NVMe PCIe 3.0 x4 128GB-2TB TLC wewnętrzny

    Fabryczny hurtowy dysk twardy PCIe 3.0 NVMe SSD 128GB-2TB M.2 NVMe SSD Specyfikacja produktu Atrybut Wartość Warunki pozycji Nowy Status produktów Nowy Interfejs PCIe Gen 3x4 NAND Flash TLC. Napięcie wejściowe Prąd stały 3,3 V Wskaźnik kształtu M.2 NVME Czytanie sekwencyjne 3000-3500 MB/s Pisanie ...

Wyślij zapytanie